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• 임팻 다이오드, IMPact ionization Avalanche Transit-Time diode, IMPATT diode

  특정한 마이크로파 대역에서 부성(負性) 저항을 발생시키는 반도체 소자의 일종으로 리드 다이오드(lead diode)와 애벌란시(avalanche) 다이오드의 총칭. 발진기, 증폭기 등에 이용되며, 보통 4~15GHz 주파수대에서 수 와트(W)의 출력을 10% 능률로 얻을 수 있다.